2025年6月17日，上海新微半導體有限公司（簡稱“新微半導體”或“公司”）正式發(fā)布基于砷化鎵（GaAs）的高速和陣列光電探測器（PD, Photodetector）工藝平臺。該平臺具備低暗電流、低電容、高響應(yīng)度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能，其發(fā)布標志著新微半導體在高速數(shù)據(jù)通信與光通信領(lǐng)域業(yè)務(wù)板塊的進一步拓展，可以為客戶提供更豐富、更高效和更可靠的光電解決方案。
在性能表現(xiàn)上，該工藝平臺代工的產(chǎn)品能夠在 -40℃ 到 85℃ 的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運行，確保設(shè)備在嚴寒、高溫等嚴苛環(huán)境下的性能一致性，保障終端設(shè)備可靠運行。在可靠性驗證上，其代工產(chǎn)品已通過Telcordia GR468可靠性標準測試，涵蓋HTOL（高溫工作壽命）、ESD（靜電放電）、T/C（溫度循環(huán)）及THB（高溫高濕壽命）等關(guān)鍵測試項目。在175℃的HTOL測試以及THB（溫度 85℃、濕度 85%RH）測試環(huán)境中，施加 -5V 偏置電壓條件，三批產(chǎn)品（抽樣標準 77 顆樣品）經(jīng)過 2000 小時老化后，均實現(xiàn)零失效，產(chǎn)品可靠性滿足通信級標準。
新微半導體的GaAs PD代工工藝平臺采用了 4 英寸GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)外延技術(shù)，結(jié)合深臺面刻蝕、側(cè)壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關(guān)鍵工藝。這不僅確保了產(chǎn)品的一致性與穩(wěn)定性，還易于實現(xiàn)規(guī)?；慨a(chǎn)，有效降低生產(chǎn)成本。更值得一提的是，通過與公司的垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）工藝平臺協(xié)同優(yōu)化，可為客戶提供高性價比、低功耗的收發(fā)組合解決方案，助推高速傳輸網(wǎng)絡(luò)建設(shè)與光電行業(yè)高效化發(fā)展。
作為業(yè)內(nèi)少數(shù)具備砷化鎵、磷化銦探測器和激光器雙工藝平臺的晶圓代工企業(yè)，新微半導體已構(gòu)建從外延生長、晶圓制造到可靠性驗證的全鏈條服務(wù)能力，全方位滿足客戶多樣化需求。本次GaAs PD工藝平臺的推出，將進一步鞏固新微半導體在光電通信領(lǐng)域的競爭力，通過優(yōu)質(zhì)代工服務(wù)助力客戶搶占市場先機，共拓通信產(chǎn)業(yè)新未來。
